ケースは TEISHIN TE-319を使用。
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| センサーはエポキシとアルミバンド で取付け | アルミケース外側に FET取付け |
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回路図 |
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15℃〜65℃の温度範囲を 0.1℃で設定可能な恒温槽です。もっとも室温より低い温度には設定出来ません。
構成としては、恒温槽のアルミケースに取付けたセンサーの出力と設定値を比較して、発熱素子としての
FETを ON・OFF制御する方式です。発熱素子はサイズ・使いやすさ・誘導雑音等の面から色々探してみた
のですが適当なものが見つからず、本来の使い方ではありませんが FETを使用しています。 FET 1石当た
りの損失は最大電源電圧において 3.2Wですが、許容損失は使用温度で十分余裕のあるのものである必要
があります。本器では手持ちがあったため Pd 100W (at 25℃) の 2SK695を使用しています。 FETはアルミケースの外側に一つづつ取付けています。当初、恒温槽内部に発熱体を置いた場合はどうかと 色々試してみましたが、恒温槽内部に温度差が生じ、また恒温槽外部の温度変化の影響を受け良い結果は得 られませんでした。 FET をアルミケースの外側に取付けることにより外部温度の影響を受けにくくなり、また内部空間が局所的 に熱せられることも少なく、スペース的にも有利となります。本器では更に内部温度の均一化を図るため FET 取付部のアルミケース内側に発泡スチロールを貼っています。 センサーは -8mVの温度係数を持つ S8100Bです。 S8100Bの検知温度が設定温度より低い時、コンパレー タ LM311の出力が HIGHとなります。この出力を分圧しマイナスの温度係数を持つ S8100Bの出力電圧 と加算することにより、FETの制御電圧を変化させ全温度範囲にわたりほぼ一定の電流が FETに流れるよ うにしています。本器では FET 1石あたり 200mAです。温度設定は VRでの設定を容易にするため 15〜40℃と 40〜65℃に分けています。尚、この VRの接続は右回りで電圧が低下する方向です。VRの出 力電圧は 3/4 LP-324でマイナスの固定電圧と加算し、更に 1.25倍して 10mV/℃の電圧として出力され ます。従ってこの出力を内臓の電圧計で表示することにより直接温度として読むことが可能になります。 3/4 LP-324の 2Kで電源電圧や S8100Bの個体による出力電圧の違いを吸収しています。2/4 LP-324の 5Kで S8100Bの温度係数が -8mVでなければ調整可能ですが、 S8100Bの温度係数はほぼ正確です。 電圧計は定番の ICL7137CPLを用いたものですが、最大入力が 650mVのため 4桁目の LEDは接続しており ません。尚、DPは 2桁目を使用します。 FET の電源電圧は 8V・12V・16Vを切換えられるようにしています。設定温度が高い場合は電源電圧を 16Vに して発熱量を大きくし早く目的の温度になるように、また設定温度が低い場合は発熱量を小さくして恒温槽 の温度振幅が小さくなるようにします。 EXT・INTの切換え SWは INTで設定温度を表示します。 EXTは恒温槽内の基板に LM35を取付け内部温度を 直接測定するために設けたものですが、恒温槽を使用しないときは温度計としても使用出来ます。 恒温槽内の基板取付けネジはポリカネジを使用しています。 |
| 使ってみて |
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65℃迄上がるのに 20分位かかります。 FETの電流をもう少し増やすか、アルミケースの残りの面にも
FETを取付け 4ヶにした方が良かったと思われます。温度を下げるときは自然冷却ですので時間がかかり
ます。それでも温度が高い時はまだ良いのですか、室温に近づくにつれ遅くなります。この為、設定温度は
室温より少なくとも 2〜3℃以上高くないとうまく設定出来ません。夏はクーラーは必須です。 |
| 測定例 |
| 25℃ | 30℃ | 35℃ | 40℃ | 45℃ | 50℃ | 55℃ | 60℃ | 65℃ | 備 考 | |
| TL431C | 2.508 〜9V | 2.509V | 2.509V | 2.509V | 2.509V | 2.509V | 2.509V | 2.508 〜9V | 2.508V | シャント・ レギュレータ |
| ツェナー 5V | 4.708V | 4.702V | 4.696V | 4.691V | 4.685V | 4.679V | 4.673V | 4.667V | 4.661V | -1.2mV/℃ |
| ダイオード IS1588 | 0.602V | 0.591V | 0.580V | 0.570V | 0.559V | 0.549V | 0.538V | 0.528V | 0.517V | -2.1mV/℃ |
| 金属皮膜抵抗 2.4KΩ | 2.420K | 2.419K | 2.419K | 2.418K | 2.418K | 2.417K | 2.417K | 2.416K | 2.415K | -52ppm/℃ |
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製作当時、水晶発振子・定電圧素子・ダイオード他色々測定したのですが、データを紛失してしまいまし
たので再度少し測定してみました。測定電流は全て 1mAの定電流です。測定方法は 65℃で 15分程エージ
ングを行い、その後 5℃づつ温度を下げて測定。 |
JUNE 1999
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100mm x 100mm程度の大きさの基板は測定可能なように製作。 ケースは 100円ショップの発泡スチロールケースを使用。サイズは外形約 W 25.8 x D 18.8 x H 11.5cm。 測定温度は 40℃までを想定していますが 45℃まで測定可能。 安定時温度振幅は 0。15℃から 40℃まで誤差 0.1℃以下。 コントローラは THERMO CONTROLERのコントローラを使用。 冬期室温 13℃、16V 500mAで 35℃まで上昇するのに 30分かかります。 "FET入力 OP-Amp の自作" や "FET Buffer" の製作で使用したもの。 センサーには THERMO CONTROLER製作時購入した S8100Bを使用。内部温度測定に同時期に購入した LM35DZを使用しようとしたがどうもおかしい。1℃程度低く表示される。調べたところ LM35DZの問題。 確かスペックでは誤差 0.5℃だったと思うが・・・。常温で長期間保管しても特性が変わることは 考えにくい。工場出荷時全数は検査されていないのだろう。 ついでに S8100Bも測定。こちらは温度係数 -8mVジャストで正確。日本製は律儀に出荷時全数検査して いるのでしょう。 なお温度の測定は難しい。ICの足も同じ温度にしなければなりません。足の温度が 異なると測定結果はかなりずれてきます。これは常識ですね。このような常識も 知らずに温度係数がどうのこうのとネット等に発表してはなりません。メーカーには大変な迷惑です。 室温の測定やこのような恒温槽でなく、室温と異なる部位の温度を測定する場合は、測定部 以外の温度が ICチップに伝わりにくいようにICの足を短くし、最細のリード線 (さらにその芯線の 1本だけを ICの足に接続する等) を使用する注意が必要となります。 秋月のキットを製作して誤差がどうのこうのと騒いではなりません。秋月のキットはオモチャです。 "FREQUENCY COUNTER" にも記載しているように、暖めてはならない (暖めても意味のない) 温度特性の X'talを ICソケットの中に入れるように設計してあるのですから (設計者が X'talの温度特性が一つ だけでないことを理解していない)。オモチャですから 100円ショップの中国製より精度は劣ります。 秋月のキットをオモチャから実用レベルのものに引き上げるためには、精度の高い部品 (例えば抵抗や コンデンサ) を別途購入して交換したり、少し改造する技術力が必要となります。この熱意や技術力の ない輩は秋月のキットに実用レベルの精度を求めてはなりません。100円ショップの中国製を購入した 方が時間も金も無駄にしないで済みます。 発熱板 (放熱板) は 2枚使用。1枚では無理。
難しいのはセンサーの設置場所です。温度特性を測定するものを置く場所に設置した場合、温度振幅が
大きく使いものになりません。発熱板から熱が伝わるのに時間がかかるためで、温度振幅は最大約 1℃に
もなります。
ケース内側にはアルミテープ貼り付け。 |
JAN 2009